[发明专利]微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410068036.X | 申请日： | 2004-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1631776A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 沈荷生;欧阳斯可;戴永兵;汪涛;何贤昶 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法，用于薄膜制备领域。本发明用微波氢等离子体热处理使纳米级厚度的金属薄膜与硅衬底实现固相反应制备金属硅化物薄膜，首先将纳米级厚度的金属薄膜预沉积于硅衬底上，并置于微波加热装置中的反应室中，反应室抽真空后充入氢气，用于产生加热等离子体和还原性保护氛围，然后微波由反应室的顶部馈入并产生氢等离子体，硅衬底温度通过调节微波功率控制，并由外部红外测温仪透过石英窗口测量，当温度达到设定值后，调节微波功率，使温度达到稳定，金属薄膜与硅衬底在等离子体高温和微波的双重作用下进行固相反应，形成金属硅化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 等离子体 制备 金属硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法，其特征在于，用微波氢等离子体热处理使纳米级厚度的金属薄膜与硅衬底实现固相反应制备金属硅化物薄膜，首先将纳米级厚度的金属薄膜预沉积于硅衬底上，并置于微波加热装置中的反应室中，反应室抽真空后充入氢气，用于产生加热等离子体和还原性保护氛围，然后微波由反应室的顶部馈入并产生氢等离子体，硅衬底温度通过调节微波功率控制，并由外部红外测温仪透过石英窗口测量，当温度达到设定值后，调节微波功率，使温度达到稳定，金属薄膜与硅衬底在等离子体高温和微波的双重作用下进行固相反应，形成金属硅化物薄膜。
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