[发明专利]熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法

摘要

本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法，该方法的特征是：在已有的碲镉汞N型热处理方法前插入一种低汞压热处理方法，这种方法能有效消除与Hg、Cd过量相关的位错，使材料成品率和性能得到提高。本发明的最大优点在于对仪器设备没有作任何改变，只是在工艺上略作变动，却获得很好的效果。

主权项

1.一种熔体法生长的碲镉汞材料的N型热处理方法，其步骤如下：A.首先将玻璃管和石英舟用洗洁精清洗并用水冲净后在铬酸中浸泡4小时，用去离子水冲洗15次，烘干待用；B.将研磨过的碲镉汞样品用丙酮、去离子水与酒精超声清洗干净后放在滤纸上自然干燥；然后将晶片插入石英舟后推入玻璃管，在推入玻璃管之前先在管内滴入半粒黄豆大小的汞滴；C.将上述装有晶片与汞滴的玻璃管接入真空系统抽真空至0.02Pa后封下；D.将经排气密封装有晶片的玻璃管推入双温区管式电炉内，进行消除位错的低汞压热处理，其特征在于热处理条件为：将样品加热至300-350℃，汞源加热至50-100℃，恒温处理10-15天；E.然后将样品温度降至280-300℃，汞源温度升至低于样品0-20℃，继续热处理至少30天后取出玻璃管，冷却到室温。