[发明专利]熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法无效
| 申请号： | 200410066229.1 | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1605661A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 萧继荣;林杏潮;龚海梅;杨晓阳;张莉萍;陆荣;邵秀华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 200083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔体法 生长 碲镉汞 材料 热处理 方法 | ||
【说明书】：
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