[发明专利]用于芯片上静电放电防护的具有深N型井的有效开启双极结构无效
| 申请号： | 200410059897.1 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1601747A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;庄哲豪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海开祺专利代理有限公司 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种适合应用于一静电放电防护电路的半导体装置，该装置包括一半导体基板、形成于该基板内的一第一井、形成于该基板内的一第二井以及形成于该第二井内的一第一掺杂区域，其中该第一井、该第二井以及该第一掺杂区域共同形成一寄生双极接面晶体管(bipolar junctiontransistor；BJT)，而且其中该第一井系该BJT的集极，该第二井系该BJT的基极，而该第一掺杂区域系该BJT的射极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 芯片 静电 放电 防护 具有 有效 开启 结构 | ||
【主权项】：
1.一种适合应用于一静电放电(electrostatic discharge；ESD)防护电路的半导体装置，其特征在于，包含：一半导体基板；一第一井，其形成于该基板内；一第二井，其形成于该基板内；以及；一第一掺杂区域，其形成于该第二井内，其中该第一井、该第二井以及该第一掺杂区域共同形成一寄生双极接面晶体管(bipolarjunction transistor；BJT)，以及其中该第一井系该BJT的集极，该第二井系该BJT的基极，而该第一掺杂区域系该BJT的射极。
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