[发明专利]用于芯片上静电放电防护的具有深N型井的有效开启双极结构无效
| 申请号： | 200410059897.1 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1601747A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;庄哲豪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海开祺专利代理有限公司 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 芯片 静电 放电 防护 具有 有效 开启 结构 | ||
【说明书】：
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