[发明专利]纳米二氧化硅的化学气相沉积制备方法无效
| 申请号： | 200410041264.8 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1590292A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 文建湘;陈明清;刘晓亚;杨成;倪忠兵 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B33/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米二氧化硅的化学气相沉积制备方法，包括：将预先纯化的四氯化硅气体和氧气经过充分混合后连续输送到密闭的管式反应器内；加热，通过内部化学气相沉积方法使四氯化硅气体和氧气进行化学反应，生成纳米级二氧化硅。该方法是一种高效、简单、可行的工艺路线，制备而得的二氧化硅具有粒径较小、形貌均一且具有良好的单分散性等优良的应用品质。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 二氧化硅 化学 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米二氧化硅的化学气相沉积制备方法，包括：将预先纯化的四氯化硅气体和氧气经过充分混合后连续输送到密闭的管式反应器内；加热，通过内部化学气相沉积方法使四氯化硅气体和氧气进行化学反应，生成纳米级二氧化硅。
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