[发明专利]大尺寸光罩基材可接受缺陷定位及光罩生产方法无效
申请号: | 200410037315.X | 申请日: | 2004-04-27 |
公开(公告)号: | CN1690847A | 公开(公告)日: | 2005-11-02 |
发明(设计)人: | 何明丰 | 申请(专利权)人: | 盟图科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F7/20;G06T7/00 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨;贺华廉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种大尺寸光罩基材可接受缺陷定位及光罩生产方法,在于整个大尺寸光罩基材(空白光罩)或蚀刻后未修补前光罩的缺陷信息被光罩检查装置读出后,进一步被区分为关键区域和非关键区域两部分的缺陷信息。所谓关键区域是指不可被接受的缺陷位置,而非关键区域是指可被接受的缺陷位置。对大尺寸光罩基材而言,若缺陷位置均位于非关键区域内,则此光罩基材被视为可接受。而对大尺寸光罩部分,光罩修补系统只需对位于关键区域的光罩缺陷进行修补即可。 | ||
搜索关键词: | 尺寸 基材 可接受 缺陷 定位 生产 方法 | ||
【主权项】:
1、一种大尺寸光罩基材可接受缺陷定位的方法,包含:放置一光罩基材于一光罩检查系统;撷取该光罩基材影像于该光罩检查系统;该光罩检查系统比对该光罩基材影像;输出该光罩基材的缺陷位置于该光罩检查系统;及判断该光罩基材的缺陷位置;其中当该缺陷位置全部位于非关键区域时,该光罩基材可被接受。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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