[发明专利]管理一次写入式记录介质上的缺陷的方法、装置和介质无效
| 申请号： | 200410034646.8 | 申请日： | 2004-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1551134A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 黄盛凞;高祯完;李坰根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/0045 | 分类号： | G11B7/0045;G11B7/007;G11B20/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种考虑了与可重写的盘的兼容性来管理缺陷的方法、一种用于实现所述方法的再现和/或记录装置、一种由此而来的一次写入式记录介质、以及一种包括用于控制缺陷管理的实现的计算机可读代码的介质。所述方法包括：在一次写入式记录介质上提供多个临时缺陷管理区域；通过使用所述多个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理；以及当所述多个临时缺陷管理区域之中的一个用完时，将指示该一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到剩余的临时缺陷管理区域之中的至少一个上。因此，能够有效地进行缺陷管理。 | ||
| 搜索关键词： | 管理 一次 写入 记录 介质 缺陷 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于管理记录介质上的缺陷的方法，所述记录介质包括多个用于管理在该记录介质上所检测的缺陷的临时缺陷管理区域，所述方法包括：通过使用多个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理；以及当一个临时缺陷管理区域用完时，将用于指示多个临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到剩余的多个临时缺陷管理区域中的至少一个中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410034646.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非水电解液二次电池
- 下一篇：具有先进的数据选通脉冲电路的半导体内存装置
