[发明专利]掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法无效
| 申请号： | 200410030277.5 | 申请日： | 2004-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1674374A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 毛容伟;滕学公;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法，包括如下步骤：a)在第一基片上进行掩模光刻，刻蚀出沟槽；b)在沟槽中带胶生长高反射率布拉格反射镜；c)用带胶剥离的方法除去光刻胶和沟槽外的反射镜；以及d)对第一基片和第二基片进行清洗处理后键合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋 反射率 布拉格 反射 基片键合 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在第一基片上进行掩模光刻，刻蚀出沟槽；b)在沟槽中带胶生长高反射率布拉格反射镜；c)用带胶剥离的方法除去光刻胶和沟槽外的反射镜；以及d)对第一基片和第二基片进行清洗处理后键合在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410030277.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用煤炭制取金刚石膜的方法
- 下一篇：低码流DVD画质宽带流媒体ip机顶盒
