[发明专利]含二氧化硅纳米颗粒的类金刚石碳复合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200410011633.9 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1796612A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 徐洮;杨生荣;陈刚;阎兴斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08;C25D15/00 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含二氧化硅纳米颗粒的类金刚石碳复合薄膜的制备方法。该方法选择二甲基二乙氧基硅烷的甲醇溶液作为沉积液，采用电化学沉积的方法，石墨作阳极，单晶硅片作阴极，通过直流高电压作用在阴极上得到含有二氧化硅纳米颗粒的类金刚石碳复合薄膜。其特点是：设备简单，沉积温度低，可以大面积合成含二氧化硅纳米颗粒的类金刚石碳膜。本发明有望在机械摩擦、电学、光学等领域得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 纳米 颗粒 金刚石 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含二氧化硅纳米颗粒的类金刚石碳复合薄膜的制备方法，其特征在于该方法主要包括以下步骤：(1)配制二甲基二乙氧基硅烷的甲醇溶液，二甲基二乙氧基硅烷与甲醇的体积比在1∶1～1∶9范围内。(2)将配制好的溶液置于电解反应器中，调节电解液的温度在30～60℃。(3)单晶硅片夹在石墨片上作阴极，石墨作阳极。(4)采用直流高电压500～1500V作用，沉积时间为2～10小时。
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