[发明专利]有改善的峰值储备的CMOS电压带隙基准有效
| 申请号： | 200380107744.3 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1732419A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂范·玛丽卡 | 申请（专利权）人： | 模拟装置公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 这项发明提供电压带隙基准电压电路。电路包括有第一和第二晶体管与放大器的输入端耦合的放大器。电路适合通过实现从加到放大器的公共输入端上的电压中减去实质上等价于第一和第二晶体管的ΔVbe的电压的减法运算以较低的峰值储备操作。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 峰值 储备 cmos 电压 基准 | ||
【主权项】：
1.一种改善峰值储备的带隙基准电压电路，峰值储备是用电路的电源电压和电路提供的基准电压之间的差异定义的，电路包括：有反转输入节点和非反转输入节点和输出端的运算放大器，输出端与电压基准节点耦合，其中反转输入节点和非反转输入节点分别与第一和第二晶体管耦合，这两个晶体管适合在不同的电流密度下操作，而且运算放大器的公共输入节点是在较低的电流密度下操作的晶体管的基极-发射极电压提供的，借此实现运算放大器的公共输入端电压的减少，以便减少电路的操作峰值储备。
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