[发明专利]有改善的峰值储备的CMOS电压带隙基准有效
| 申请号： | 200380107744.3 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1732419A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂范·玛丽卡 | 申请（专利权）人： | 模拟装置公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 峰值 储备 cmos 电压 基准 | ||
【说明书】：
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