[发明专利]用于传感半导体处理系统中氟物质的设备和工艺无效
| 申请号： | 200380101667.0 | 申请日： | 2003-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1705871A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·迪梅奥;陈世辉;杰弗里·W·诺伊纳;詹姆士·韦尔奇;米谢勒·斯塔瓦咨;托马斯·H·鲍姆;麦肯齐·E·京;陈英欣;杰弗里·F·罗德 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | G01N9/00 | 分类号： | G01N9/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于探测含氟气体中的含氟物质的气体探测器(54)和工艺，例如，经历用HF、NF3等刻蚀清洗的半导体处理工具的流出物。优选结构布置中的探测器采用基于微机电系统(MEMS)的器件结构和/或自立式金属元件(8)，当需要升温传感时，自立式金属元件用作传感器元件和选择性地作为热源。自立式金属元件可以直接在标准芯片载体/器件封装(6)上制造，以便封装变为探测器的平台。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 传感 半导体 处理 系统 物质 设备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种气体传感器组件，包括在衬底上耦合到一个器件的自立式气体传感元件，该器件用于监控自立式气体传感元件与氟物质接触时气体传感元件的至少一种性能变化并响应地产生输出信号，其中气体传感元件由与氟物质接触时显示出所述变化的材料形成。
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