[发明专利]半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法有效
| 申请号： | 200310124242.3 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1516288A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 丸山纯矢;高山彻;大野由美子;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 转移 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包含：氧化物膜；形成在氧化物膜上的包含氮的绝缘膜；形成在绝缘膜上的半导体膜；以及与氧化物膜底侧接触形成的金属氧化物层。
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