[发明专利]半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法有效
| 申请号： | 200310124242.3 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1516288A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 丸山纯矢;高山彻;大野由美子;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 转移 | ||
【说明书】：
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