[发明专利]激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法

摘要

涉及一种激光诱导下GaN P－型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退火。对中、强型p－型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p－型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10^－4Ωcm²；当采用Zn/Au双层金属接触时，比接触电阻可达4.75×10^－4Ωcm²。能制备比接触电阻低p－GaN欧姆接触，且能在原有p－GaN的表面形成P⁺P高低发射结，有助于提高GaN基结型器件的注入效率。可用于GaN基材料的各种器件的P－型欧姆接触制备，可降低结型器件的正向工作电压，提高发光效率。

主权项

1、激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法，其特征在于其工艺步骤为：1)、用溅射或者蒸发的方法在GaN样品表面淀积一层200～300nm厚的金属锌薄层；2)、将Zn/GaN样品预加热到200～300℃；3)、用固体激光器辐照Zn/GaN样品的表面1～3min，脉冲宽度1～5ms，激光功率密度130～150W/cm2 4)、将样品表面剩余的锌腐蚀掉，经去离子水清洗烘干；5)、用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，用磁控溅射方法淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，对金属进行光刻形成电极；6)、在400～700℃范围内退火。