[发明专利]一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 200310117094.2 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1546740A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;李海峰;张厚兴;万之坚;张立明;马天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C23C16/24;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于太阳能电池零部件制备技术的工艺简单、行之有效的一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法。是把单晶硅粉碎成颗粒，先通过在陶瓷衬底表面种植一定密度籽晶后，采用RTCVD沉积技术来制备大晶粒多晶硅薄膜的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 衬底 沉积 晶粒 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法，该方法是先在陶瓷衬底表面种植籽晶后，采用RTCVD沉积技术来制备大晶粒多晶硅薄膜，其特征在于：该方法包括以下步骤：1).将粒度0.5-2微米的单晶硅粉和无水乙醇与双十二烷基二甲基氯化铵分散剂的等量混合溶液混合制成悬浮液，悬浮液中多晶硅粉所占的质量百分比为0.001～1％；2).采用喷涂或浸渍的方法将悬浮液涂覆于陶瓷衬底上；3).将涂有悬浮液的陶瓷衬底在400-600℃，12L/min的氩气保护下热处理25-45min后，在900-1100℃的温度下热处理15-30min，以使多晶硅颗粒与衬底间形成较牢固的结合；4).将经过(3)处理后的衬底装入RTCVD反应室中，以SiH2Cl2/H2为气源，SiH2Cl2流速为60-160sccm，H2流速为0.05-0.50sccm，压力为40Torr，在1050℃的条件下沉积20min即可得到晶粒尺寸在15微米左右的多晶硅薄膜。
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