[发明专利]多晶硅的定向生长方法无效
| 申请号： | 200310115895.5 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1546744A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 廖燕平;邵喜斌;邝俊峰;荆海;付国柱;骆文生;郜峰利;缪国庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B28/00 | 分类号： | C30B28/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiSi2小籽晶，用能量密度为270～360mJ/cm2和频率为10～15Hz的准分子激光把非晶硅熔化，非晶硅受光次数为20～30次/秒。在熔化非晶硅的表面由于存在一薄层NiSi2小晶核，即相当存在一个固液界面，它既能满足晶体生长的必要条件，在上述条件下又有利于生成定向多晶硅。通过本发明制备的定向多晶硅既有利于进一步提高电子迁移率，又有利于提高刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 定向 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备定向多晶硅的方法，首先在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，其特征是形成一薄层镍硅化合物NiSi2小晶核；用能量密度为270～360mJ/cm2和频率为10～15Hz的准分子激光把非晶硅熔化，非晶硅受光次数为20～30次/秒，则从熔化非晶硅的表面开始生长出定向多晶硅。
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