[其他]半导体工艺在审
| 申请号： | 101985000004071 | 申请日： | 1985-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1003337B | 公开（公告）日： | 1989-02-15 |
| 发明（设计）人： | 彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 | 申请（专利权）人： | 标准电话电报公共有限公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 陈景俊 |
| 地址： | 英国伦敦WC*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于制造半导体器件特别是但不只是ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片（１８）靠近要生长材料的半导体晶片（１５）的安排，它们与晶状卤化碱（２０）一起在坩埚（１６）内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ激光器和生长ＩｎＰ时，卤化碱可以是ＫＩ、ＲｂＩ、或ＣｓＩ，并且可将一定量的Ｉｎ金属（２１）放在坩埚（１６）里，以控制确定激光器有源区的ＩｎＰ的生长与ＩｎＰ从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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