[其他]半导体工艺在审
| 申请号： | 101985000004071 | 申请日： | 1985-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1003337B | 公开（公告）日： | 1989-02-15 |
| 发明（设计）人： | 彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 | 申请（专利权）人： | 标准电话电报公共有限公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 陈景俊 |
| 地址： | 英国伦敦WC*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【权利要求书】：
1、一种供制造半导体器件用的质量传递工艺，其特征是在一未密封的坩埚〔16，17〕内放置要由质量传递生长InP的半导体晶片〔15〕，用InP盖片〔18〕盖住半导体晶片，InP从该盖片被传递至半导体晶片，在坩埚中处理传递介质材料，传递介质材料包括从晶状KI、RbI和CSI组成的一组中选择出来的材料〔20〕，然后将未密封的坩埚于一温度下，在氢气中加热，其时间由所需求的生长量而定。
2、如权利要求1的一种质量传递工艺，其特征是传递介质材料还包括足够量的金属铟〔21〕，用以平衡在凹面上InP的生长，防止凸面和平面受刻蚀。
3、如权利要求2的一种质量传递工艺，其特征是在660℃之下加热坩埚。
4、以上任一权利要求所说的一种质量传递工艺，用于在InP/InGaAsup系统中不同结构层，其特征是传递介质材料包括晶状KI，并且坩埚不完全密封。
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