[发明专利]具有电隔离的读写电路的MRAM结构无效
| 申请号： | 03815272.X | 申请日： | 2003-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1757076A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·J.·纳哈斯;托马斯·W.·安德尔;其特拉·K.·赛伯拉玛尼安;布拉德利·J.·格尼;马克·A.·杜尔莱姆 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 磁阻随机存取存储器(MRAM)(200)具有分开的读(RWL0，RGBL0)和写(WBL0，WWL0)路径。通过不需要在特定的线上在读和写之间进行切换，这减小周围的电路(114，116，118，120，122，124，126，128，130，132)。通过把路径专用于读信号或写信号，对于这些功能的电压电平可被最佳化。仅仅是读功能的一部分的选择晶体管(230)可以是低电压类型的，因为它们不必接收写电路的相对较高的电压。类似地，写电压不必降低到容纳低电压类型的晶体管。总的存储器(200)的尺寸在改进性能的同时被有效地保持为小的。存储器单元(202)被编组，以使得相邻的组被耦合到公共全局位线(RGBL0)，这减小对于把电容减小分组方法提供给存储器单元选择所需要的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 读写 电路 mram 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：被排列成多个行和列的随机存取存储器单元的阵列，多个行和列的每个交叉点形成存储器单元；多条写入位线，多条写入位线的每条写入位线被使用来把数据值放置在位于随机存取存储器单元的阵列的预定的列内的预定的存储器单元；多条读出位线，多条读出位线的每条读出位线被使用来读出在位于随机存取存储器单元的阵列的预定的列内的预定的存储器单元中的数据值，多条写入位线是与多条读出位线互相电隔离的。
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