[发明专利]具有电隔离的读写电路的MRAM结构无效
| 申请号： | 03815272.X | 申请日： | 2003-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1757076A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·J.·纳哈斯;托马斯·W.·安德尔;其特拉·K.·赛伯拉玛尼安;布拉德利·J.·格尼;马克·A.·杜尔莱姆 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 读写 电路 mram 结构 | ||
【说明书】：
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