[发明专利]具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 03815036.0 | 申请日： | 2003-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1663052A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | K·维乔雷克;M·霍斯特曼;C·克鲁格 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示SOI晶体管组件及其制造方法，其中高浓度的稳态点缺陷系藉由包括在具有些微晶格差异的主动晶体管区域内的区域而产生。在一特定具体实施例中，因为在热处理晶体管组件时，将硅锗层(320)的应力缓和，所以硅锗层则能够设置于具有高浓度点缺陷的主动区域中。由于点缺陷，重组率则可明显地增加，藉此而减少储存于主动区域中电荷载子的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 重组 区域 绝缘体 场效应 晶体管 形成 该场 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成于基板上的场效应晶体管，包含：一基板(301)，具有绝缘层(310)形成于其上；一晶状主动区域(302)，形成于该绝缘层(310)上，该晶状主动区域(302)包括具有局部化重组中心的第一浓度的第一区域(321)，以及具有重组中心的第二浓度的第二区域(320)，其中该第二浓度高于该第一浓度；一漏极区域(304)与一源极区域(303)；以及一栅极电极(306)，藉由一栅极绝缘层(307)而与该主动区域(302)电性绝缘。
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