[发明专利]具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 03815036.0 | 申请日： | 2003-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1663052A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | K·维乔雷克;M·霍斯特曼;C·克鲁格 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 重组 区域 绝缘体 场效应 晶体管 形成 该场 效应 方法 | ||
【说明书】：
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