[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，本发明利用不同的离子源来调整位于沟渠的不同部位的绝缘层的成长速率。先提供一第一导电类型的基材，再形成一第一导电类型的磊晶层于基材之上，并在此磊晶层上形成一第二导电类型的主体区域。然后蚀刻此主体区域、磊晶层以及基材以形成一沟渠，并对此沟渠的侧壁或底部进行一离子布植制程。而后，在此沟渠的表面形成一绝缘层作为沟渠的衬垫。接着，在主体区域之中与沟渠相邻的位置形成第一导电类型的源极区域。最后，沉积一导电材质于沟渠之中，作为此沟渠双扩散晶体管的栅极。

主权项

1、一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含下列步骤：提供一第一导电类型的基材；形成一第一导电类型的磊晶层于该基材之上；形成一第二导电类型的主体区域于该磊晶层之上；蚀刻该主体区域、该磊晶层以及该基材，以形成至少一沟渠，其中该沟渠自该主体区域延伸至该基材；离子布植该沟渠的侧壁；形成一绝缘层作为该沟渠的衬垫；形成至少一第一导电类型的源极区域于该主体区域之中并与该沟渠相邻；以及沉积一导电材质于该沟渠之中并覆盖在该绝缘层之上，以形成一栅极区域。