[发明专利]功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 03157741.5 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1510758A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 梄崎敦司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种削减照相制版工序的同时，改善由于该工序的削减而引起的耐压下降的功率半导体装置。在外延层(610)的主面(61S)上形成在中央区域(551)内设开口第一绝缘体(710)。接着，通过第一绝缘体(710)的上述开口离子注入p型杂质，然后通过热处理，在主面(61S)内形成p基底层(621)。然后，填埋上述开口而形成绝缘膜，并通过对该膜进行深蚀刻在第一绝缘体(710)的侧面(71W)上形成第二绝缘体(720)。接着，在设有第二绝缘体(720)的状态下通过上述开口离子注入n型杂质，然后通过热处理，在p基底层(621)的主面(61S)内形成n+源极层(630)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在设有中央区域和外围区域的元件配置部内包含功率半导体元件的功率半导体装置，其中有：包含遍及所述中央区域和所述外围区域而设的主面的第一导电型的第一半导体层，在所述主面上设置的、在所述中央区域内有第一开口并包含形成所述第一开口的侧面的第一绝缘体，为使所述第一开口变窄而设置在所述第一绝缘体的所述侧面上的第二绝缘体，以及设置在所述主面内的、具有与所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层；所述第二半导体层中包括：在所述中央区域内形成所述功率半导体元件之一部分，并面对着所述第一绝缘体向所述外围区域侧延伸的第一部分；所述功率半导体装置中还有：在所述主面中所述第一部分的形成区域内设置的、在所述第一部分的所述形成区域内的所述中央区域内形成所述功率半导体元件之另一部分，并面对着所述第二绝缘体向所述外围区域侧延伸的所述第一导电型的第三半导体层。
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