[发明专利]用于制造电子封装的半导体安装衬底和生产这种半导体安装衬底的生产过程无效

专利信息
申请号: 03147407.1 申请日: 2003-07-09
公开(公告)号: CN1477702A 公开(公告)日: 2004-02-25
发明(设计)人: 栗原健一 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L21/48;H05K3/46
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆弋;钟强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在制造多个电子封装所使用的半导体安装衬底(10;20)中,金属膜层(12A;22A)和电绝缘层(14A;24A)构成第一多层衬底部分(10F;20F),并且多个封装区域限定在第一衬底部分的表面上。由中间插入的电绝缘层(14B;24B)分开的至少两个金属膜层(12B和12C;22B和22C)构成第二多层衬底部分(10S;20S)。用压力机将第一衬底部分层压在第二衬底部分上,使得第一衬底部分的电绝缘层处在第二衬底部分的金属膜层之一上。在将第一衬底部分层压在第二衬底部分上之前,在第一衬底部分的每个封装区域形成芯片安装开口。
搜索关键词: 用于 制造 电子 封装 半导体 安装 衬底 生产 这种 生产过程
【主权项】:
1.一种用于制造多个电子封装的半导体安装衬底(10;20),包括:第一多层衬底部分(10F;20F),它由金属膜层(12A;22A)和电绝缘层(14A;24A)构成,并且多个封装区域限定在所述第一多层衬底部分的表面上;和第二多层衬底部分(10S;20S),它由至少两个金属膜层(12B和12C;22B和22C)构成,其中这两个金属膜层由插入其间的电绝缘层(14B;24B)分开;其中,用压力机将所述第一多层衬底部分(10F;20F)层压在所述第二多层衬底部分(10S;20S)上,使得所述第一多层衬底部分的电绝缘层(14A;24A)处在所述第二多层衬底部分的金属膜层(12B和12C;22B和22C)之一(12B;22B)上,其中,在将所述第一多层衬底部分(10F;20F)层压在所述第二多层衬底部分(10S;20S)上之前,在所述第一多层衬底部分(10F;20F)中的每个封装区域上形成芯片安装开(16;26;30)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03147407.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top