[发明专利]避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法有效
| 申请号: | 03146525.0 | 申请日: | 2003-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN1567566A | 公开(公告)日: | 2005-01-19 |
| 发明(设计)人: | 许平;吴国坚 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王一斌 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法,是提供一基底,其上具有一衬垫结构且已完成深渠沟电容器的制程;对该基底上的衬垫结构进行回缩,露出部分该基底的上表面,以一填充层填入一深渠沟,接着,再顺应性形成一遮蔽层于上述衬垫结构、上述基底露出的上表面及上述填充层上,且蚀刻上述遮蔽层以形成一遮蔽层间隙壁,完全包覆上述衬垫结构侧壁及上述基底露出的上表面。利用本发明所述的方法,可避免深渠沟的顶部尺寸在蚀刻制程中扩大,进一步防止深沟渠电容器中的次电压漏损。 | ||
| 搜索关键词: | 避免 渠沟 顶部 尺寸 扩大 方法 | ||
【主权项】:
1.一种避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法,包括下列步骤:提供一基底,包含有一渠沟以及一渠沟电容器,且具有一衬垫结构形成于上述基底的上表面,其中上述渠沟电容器包含有一节点介电层以及一储存节点,上述节点介电层是形成于该渠沟的侧壁与底部,上述储存节点是填入该渠沟至一预定深度;对上述衬垫结构进行回缩,露出沟渠周围的上述基底上表面;以一填充层填入上述渠沟,使上述填充层露出的表面不高于上述基底的上表面;顺应性形成一遮蔽层于上述衬垫结构、上述基底露出的上表面及上述填充层上;回蚀上述遮蔽层以形成一遮蔽层间隙壁,完全包覆上述衬垫结构侧壁及上述基底露出的上表面;以及移除上述填充层,露出构成上述渠沟侧壁的基底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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