[发明专利]避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法有效

专利信息
申请号: 03146525.0 申请日: 2003-07-03
公开(公告)号: CN1567566A 公开(公告)日: 2005-01-19
发明(设计)人: 许平;吴国坚 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 王一斌
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法,是提供一基底,其上具有一衬垫结构且已完成深渠沟电容器的制程;对该基底上的衬垫结构进行回缩,露出部分该基底的上表面,以一填充层填入一深渠沟,接着,再顺应性形成一遮蔽层于上述衬垫结构、上述基底露出的上表面及上述填充层上,且蚀刻上述遮蔽层以形成一遮蔽层间隙壁,完全包覆上述衬垫结构侧壁及上述基底露出的上表面。利用本发明所述的方法,可避免深渠沟的顶部尺寸在蚀刻制程中扩大,进一步防止深沟渠电容器中的次电压漏损。
搜索关键词: 避免 渠沟 顶部 尺寸 扩大 方法
【主权项】:
1.一种避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法,包括下列步骤:提供一基底,包含有一渠沟以及一渠沟电容器,且具有一衬垫结构形成于上述基底的上表面,其中上述渠沟电容器包含有一节点介电层以及一储存节点,上述节点介电层是形成于该渠沟的侧壁与底部,上述储存节点是填入该渠沟至一预定深度;对上述衬垫结构进行回缩,露出沟渠周围的上述基底上表面;以一填充层填入上述渠沟,使上述填充层露出的表面不高于上述基底的上表面;顺应性形成一遮蔽层于上述衬垫结构、上述基底露出的上表面及上述填充层上;回蚀上述遮蔽层以形成一遮蔽层间隙壁,完全包覆上述衬垫结构侧壁及上述基底露出的上表面;以及移除上述填充层,露出构成上述渠沟侧壁的基底表面。
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