[发明专利]光刻装置,器件制造、性能测量及校准方法和计算机程序有效

专利信息
申请号: 03140753.6 申请日: 2003-05-08
公开(公告)号: CN1461976A 公开(公告)日: 2003-12-17
发明(设计)人: J·海恩策 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00;G06F9/00;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 崔幼平
地址: 荷兰维尔*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 用于脉沖辐射源的控制系统是一个最低阶的闭环控制器,优选地,首先实现无差拍控制。在光刻装置中用于脉冲辐射源的性能指示量基于在靶部和实际脉冲能量之间的误差的移动平均值(MA)和移动标准偏差(MSD)。归一化指示量由下式给出:(见(1)式)(k=Nslit-e…Nscan)和:其中Epref(i)表示和Eperr(i)对于一点i每一脉冲的参考能量和每一脉沖的能量误差。并且:(见(2)式)(k=Nslit-e…Nscan)。
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 性能 测量 校准 方法 计算机 程序
【主权项】:
1.一种光刻投射装置,其包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统,该辐射系统包括一脉冲辐射源;用于支撑图案形成装置的支撑结构,所述图案形成装置用于根据理想的图案使投射光束图案化;用于保持基底的基底台;用于将图案化的光束投射到该基底的靶部上的投射系统;和用于控制所述投射光束的脉冲能量的控制系统,其特征在于,所述控制系统包括最低阶的闭环控制器。
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