[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03124112.3 | 申请日： | 2003-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1542984A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 贡中元;涂高维;简凤佐;黄彦智 | 申请（专利权）人： | 华瑞股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 台湾省台北市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括：一硅基板的汲极；形成在上述硅基板之上的一磊晶层，在上述磊晶层上方形成的阱区中蚀刻一闸极沟渠区而形成的闸极；形成在上述阱区最上方的一源极掺杂区；其中，还包括一源极沟渠区，上述源极沟渠区是通过蚀刻上述源极掺杂区形成另一沟渠，上述另一沟渠的深度到达上述硅基板处。上述装置可具有低导通电阻、高崩溃电压及高密集度的优点，且在制造过程中无须任何放入高温炉的布植步骤，可降低制造过程的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括：一硅基板的汲极；形成在上述硅基板之上的一磊晶层，在上述磊晶层上方形成的阱区中蚀刻一闸极沟渠区而形成的闸极；形成在上述阱区最上方的一源极掺杂区；其特征在于，还包括一源极沟渠区，上述源极沟渠区是通过蚀刻上述源极掺杂区形成另一沟渠，上述另一沟渠的深度到达上述硅基板处。
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