[发明专利]抑制电弧放电的对应等离子体喷头RF顶电极调谐的MERIE等离子体反应器

摘要

用于处理半导体工件的等离子体反应器，包括反应室，其具有室壁并且包含用于夹持半导体工件的工件支撑；电极，其包括室壁的一部分；RF功率发生器，其用于为顶电极提供在发生器频率的功率，并且能在期望的等离子体离子密度级，在室中维持等离子体；在电极—等离子体共振频率，在期望的等离子体离子密度，顶电极与在室中形成的等离子体一起共振，发生器的频率至少接近电极—等离子体的共振频率。反应器还包括围绕上覆在晶片表面的等离子体处理区的一套MERIE磁体，该套MERIE磁体产生搅动等离子体的缓慢环流磁场，以改进搅动等离子体的环流磁场从而改进等离子体密度分布均匀性。

主权项

1.处理半导体工件的等离子体反应器，包括：反应室，其具有室壁并包括用于夹持半导体工件的工件支撑；顶电极，其覆盖所述工件支撑，所述电极包括所述室壁的一部分；RF功率发生器，用于在所述发生器的频率下向所述顶电极提供功率并能在所述室中将等离子体维持在期望的等离子体离子密度级；所述顶电极具有同等离子体在电极—等离子体共振频率下形成共振的电抗，所述电极—等离子体共振频率是所述发生器的所述频率或接近所述发生器的所述频率；MERIE磁场发生器，用于产生在整个所述工件顶表面随时间旋转的磁场。