[发明专利]在综合处理系统中用于等离子搀杂和离子注入的方法和装置无效
| 申请号： | 02823322.0 | 申请日： | 2002-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1592944A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·R·沃尔特 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备联合公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/32;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 这些方法和装置是在综合处理系统中为等离子搀杂和离子注入准备的。装置包括处理室、用来产生离子束并且将离子束引进处理室的射束线离子注入组件、包括可进入处理室的等离子搀杂室的等离子搀杂组件和晶片定位器。该定位器在射束线注入模式中将半导体晶片放置在离子束路径中，而在等离子搀杂模式中将半导体晶片放置在等离子搀杂室中。 | ||
| 搜索关键词： | 综合 处理 系统 用于 等离子 搀杂 离子 注入 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体晶片的装置，包括：处理室；射束线离子注入组件，用来产生离子束并且将离子束引进所述的处理室；离子搀杂组件，其包括可进入所述的处理室的等离子搀杂室的等；以及晶片定位器，用来在射束线注入模式中将半导体晶片放置在所述的离子束的路径中而在等离子搀杂模式中将半导体晶片放置在所述的等离子搀杂室中。
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