[发明专利]真空成膜装置及真空成膜方法有效

专利信息
申请号: 02821406.4 申请日: 2002-11-21
公开(公告)号: CN1578847A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 宇津木功二;山本博规;宫地麻里子;三浦环;森满博;坂内裕;山崎伊纪子 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/56;H01M4/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的真空成膜装置使用于将来自蒸发源(6a、6b)的蒸发物质在柔性基板(1)的既定位置成膜的场合。在真空中使用辊(2a、2b、3a、3c)使柔性基板(1)行走的同时,通过开闭器(8a、8b)的开闭来控制经由遮蔽部件(9a、9b)的开口部的蒸发物质的移动。在柔性基板(1)上控制性高地形成具有既定形状图案的薄膜。由此提供将来自蒸发源(6a、6b)的蒸发物质在柔性基板(1)的既定位置成膜时使用的真空成膜装置。
搜索关键词: 真空 装置 方法
【主权项】:
1、一种真空成膜装置,其特征在于:是在基板上形成具有所希望的图案形状的薄膜的真空成膜装置,设置有使基板行走的行走装置、包含构成薄膜的蒸发物质的蒸发源、以及将从所述蒸发源向所述基板的所述蒸发物质的移动进行间歇式遮断的遮断装置,且所述遮断装置存在于所述蒸发源与所述基板之间,与所述基板离间设置。
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