[发明专利]具有浮岛电压维持层的功率半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 02819658.9 | 申请日： | 2002-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1572018A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·布朗夏尔;让·米歇尔·吉约 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/22;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;钟强 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件及其制造方法，提供衬底(402)，并接着通过在衬底(402)上淀积外延层(401)和在外延层(401)中形成至少一个沟槽而在衬底(402)上形成电压维持区。沿着沟槽壁淀积阻挡材料并穿过阻挡材料把掺杂剂注入到邻近沟槽底部并在沟槽底部之下的部分外延层(401)中。掺杂剂扩散形成第一掺杂层，并至少从沟槽的底部去除阻挡材料。穿过第一掺杂层蚀刻沟槽，并基本上填充沟槽，从而完成电压维持区。在电压维持区上形成至少一个区以在它们之间限定结面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 维持 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件的制造方法，包括步骤：A.提供第一导电类型的衬底；B.通过以下步骤在所述衬底上形成电压维持区：1.在衬底上淀积外延层，所述外延层具有第一导电类型；2.在所述外延层中形成至少一个沟槽；3.沿着所述沟槽的壁淀积阻挡材料；4.穿过阻挡材料把第二导电类型的掺杂剂注入到邻近所述沟槽底部并在所述沟槽底部之下的部分外延层中；5.扩散所述掺杂剂以在所述外延层中形成第一掺杂层；6.至少从沟槽的底部去除阻挡材料；7.穿过所述第一掺杂层蚀刻沟槽；和8.在所述沟槽中淀积填充材料以基本上填充所述沟槽；和C.在所述电压维持区上形成至少一个所述第二导电类型区以在它们之间限定结面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
