[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02818359.2 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1557022A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 都鹿野健一;齐藤芳彦;上月繁雄;碓氷康典;泉泽优;河野孝弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将As及B注入槽(3)的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽(3)夹在中间的n－型外延Si层变成由沿横向排列的n型柱层(5)/p型柱层(4)/n型柱层(5)构成的、实际上具有与超结型结构相同的作用的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电类型半导体衬底；将该第一导电类型半导体衬底作为第一导电类型漏层的纵型的功率MOSFET；以及使该功率MOSFET与其他元件分离、在上述第一导电类型半导体衬底上形成的分离构件，上述功率MOSFET包含：有选择地在上述第一导电类型半导体衬底的主面上形成的由三个半导体层构成的半导体结构，其中上述三个半导体层由第二导电类型半导体层、以及夹着该第二导电类型半导体层的侧面形成的两个第一导电类型半导体层构成，且上述第二导电类型半导体层和上述第一导电类型半导体层的pn结面相对于上述第一导电类型半导体衬底的主面大致垂直；在上述第二导电类型半导体层的上部表面上形成的杂质浓度比上述第二导电类型半导体层高的第二导电类型基层；在该第二导电类型基层的表面上有选择地形成的第一导电类型源扩散层；在由该第一导电类型源扩散层和上述第一导电类型半导体层夹在中间的上述第二导电类型基层上形成的栅绝缘膜；以及在该栅绝缘膜上形成的栅极。
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