[发明专利]具有高介电常数栅极绝缘层和与衬底形成肖特基接触的源极和漏极的晶体管无效
| 申请号： | 02817910.2 | 申请日： | 2002-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1555579A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | J·P·斯尼德尔;J·M·拉森 | 申请（专利权）人： | 斯平内克半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明致力于用于调节电流的器件及其制造方法，该器件具有高介电常数的栅绝缘层，其源极和/或漏极和衬底形成肖特基接触或类肖特基区域。在一个实施例中，栅绝缘层具有大于硅的介电常数。在另一个实施例中，电流调节器件可以是MOSFET器件，可任选的平面P型或N型MOSFET具有任何取向。在另一个实施例中，源和/或漏可以部分或全部由硅化物构成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 栅极 绝缘 衬底 形成 肖特基 接触 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于调节电流的器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；提供和该半导体衬底相接触的电绝缘层，该绝缘层具有大于4.0的介电常数；提供和该绝缘层的至少一部分相接触的一栅极；和提供和该半导体衬底相接触并靠近该栅极的一源极和一漏极，其中至少源极和漏极中一电极和半导体衬底形成肖特基接触或类肖特基区域。
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