[发明专利]具有高介电常数栅极绝缘层和与衬底形成肖特基接触的源极和漏极的晶体管无效
| 申请号： | 02817910.2 | 申请日： | 2002-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1555579A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | J·P·斯尼德尔;J·M·拉森 | 申请（专利权）人： | 斯平内克半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 栅极 绝缘 衬底 形成 肖特基 接触 晶体管 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯平内克半导体股份有限公司，未经斯平内克半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02817910.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子装置
- 下一篇：改善电数据线束传输特性的装置和数据传输系统
- 同类专利
- 专利分类
