[发明专利]利用消除辅助特征来提高处理范围的方法有效
| 申请号： | 02154272.4 | 申请日： | 2002-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1437072A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | J·F·陈;D·－F·S·苏;M·F·A·厄林斯 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 荷兰维尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过使用光刻装置将光刻图案传送到基底上的方法。该方法包括步骤：(1)定义要印刷到基底上的特征；(2)确定哪些特征需要在其周围布置辅助特征，使得这些特征可以在定义的分辨率的范围内印刷；(3)生成一个包括需要印刷的特征和辅助特征的掩膜；(4)进行第一照射处理，使得将特征印刷到基底上，第一照射处理将辅助特征部分印刷到基底上；和(5)进行第二照射处理，使得减少印刷到基底上的辅助特征的量；第二照射处理必须进行四极照射的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 消除 辅助 特征 提高 处理 范围 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过使用光刻装置将光刻图案传送到基底上的方法，所述方法包括步骤：定义要印刷到所述基底上的特征；确定哪些特征需要在其周围布置辅助特征，使得所述特征可以在定义的分辨率的范围内印刷；形成一个包括所述需要印刷的特征和辅助特征的掩膜；进行第一照射处理，使得将所述特征印刷到基底上，所述第一照射处理将所述辅助特征部分印刷到所述基底上；和，进行第二照射处理，使得减少印刷到所述基底上的所述辅助特征的量；所述第二照射处理包括进行四极照射的步骤。
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