[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 02141230.8 申请日: 2002-06-28
公开(公告)号: CN1428854A 公开(公告)日: 2003-07-09
发明(设计)人: 本浪康司;增田裕;深谷忠男 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/48
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 孙敬国
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种降低成本效果好,不使用有害物质的半导体装置及其制造方法,包括半导体芯片(11),有搭载该半导体芯片的基片衬垫部(12)和内端位于该基片衬垫部的周围地配设地多个引线(13),并无防锈被膜残渣的铜系引线框架,将半导体芯片上的电极与多个引线的内端部直接连接的铜导线(14),将这些气密封止的树脂封止体(16),在多个引线中的从树脂封止体伸出的外部引线部分(17)上具有水溶性防锈剂被膜(18)或铅游离的焊料膜(18’)。由此,可降低成本和防止环境污染。又,采用本发明的半导体装置的制造方法,由于在作成引线框架后立即涂布在较低温度下分解的非BTA系防锈剂,并获得最终的外引线的防锈,故能避免使用贵金属而有利于降低成本,并能在后面工序中不残留有害的残留物,尤其能提高树脂封止的可靠性。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括半导体芯片,具有搭载所述半导体装置的基片衬垫部和内端被配设成位于该基片衬垫部的周围的多个引线,并且没有防锈被膜残渣的铜系引线框架,将所述半导体芯片上的电极与所述多个引线的内端部直接连接的铜导线,将所述半导体芯片、所述引线框架的大部分以及所述铜导线进行气密封止的树脂封止体;在所述多个引线中的从所述树脂封止体伸出的外部引线部分上,涂布水溶性防锈剂。
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