[发明专利]一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜无效
| 申请号： | 02138727.3 | 申请日： | 2002-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1392535A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李佐宜;黄致新;林更琪;李震;杨晓非 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/73 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 方放 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜，包括底层和磁性层，磁性层为轻稀土元素7％－18％；重稀土元素19％－28％；过渡金属53％－74％；底层材料为Cr、Ti、Mo或W。上述磁性层上可设有防止磁性层氧化的顶层，其材料为SiO2、SiN、AlNSi或AlN。采用X射线衍射测量装置分析SiO2/SmTbCo/Cr/glasssub垂直磁化膜的样品结构时，没有发现稀土与过渡族元素(SmTbCo)的结晶相，表明该类膜是非晶膜。通过对样品的磁性能、磁光特性、磁各向异性常数和样品的组分的检测与分析，可知该膜具有较高的磁各向异性，Ku值高于4.5×106erg/cm3，这种膜具有的良好的热稳定性。由于有较大的磁滞回线矩形度，又是非晶膜，其热噪声很低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高密度 垂直 记录 磁化 | ||
【主权项】：
1.一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜，包括底层和磁性层，其特征在于：所述磁性层的成分及元素比为：轻稀土元素：7％-18％；重稀土元素：19％-28％；过渡金属：53％-74％。
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