[发明专利]一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜无效
| 申请号： | 02138727.3 | 申请日： | 2002-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1392535A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李佐宜;黄致新;林更琪;李震;杨晓非 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/73 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 方放 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高密度 垂直 记录 磁化 | ||
【权利要求书】：
1.一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜，包括底层和磁性层，其特征在于：所述磁性层的成分及元素比为：
轻稀土元素：7％-18％；
重稀土元素：19％-28％；
过渡金属： 53％-74％。
2.根据权利要求1所述的非晶磁化膜，其特征在于：所述磁性层上设有防止磁性磁性层氧化的顶层，该顶层材料为SiO2、SiN、AlNSi或AlN。
3.根据权利要求1或2所述的非晶垂直磁化膜，其特征在于：所述底层材料为Cr、Ti、Mo、W或Cr合金。
4.根据权利要求1或2所述的非晶垂直磁化膜，其特征在于：所述轻稀土元素为Sm、Nd或Pr元素。
5.根据权利要求3所述的非晶垂直磁化膜，其特征在于：所述轻稀土元素为Sm、Nd或Pr元素。
6.根期权利要求4所述的非晶垂直磁化膜，其特征在于：所述重稀土元素为Gd、Tb或Dy元素。
7.根据权利要求5所述的非晶垂直磁化膜，其特征在于：所述重稀土元素为Gd、Tb或Dy元素。
8.根据权利要求6所述的非晶垂直磁化膜，其特征在于：所述过渡金属为Co或Fe。
9.根据权利要求7所述的非晶垂直磁化膜，其特征在于：所述过渡金属为Co或Fe。
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