[发明专利]ZnO基发光二极管无效
| 申请号： | 02136641.1 | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1399357A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;黄靖云;马德伟;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的ZnO基发光二极管在衬底上自下而上依次由第一电极层、n－ZnO薄膜层、CdxZn1－xO基层、p－ZnO薄膜层、第二电极层沉积而成。ZnO基发光二极管的优点是1)利用Cd掺杂对发光层禁带的调节作用，可以得到2.8～3.3eV的可调带隙，制得紫外光、紫光、绿光、蓝光等多种发光器件。2)ZnO基异质结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | zno 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.ZnO基发光二极管，其特征是在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、n-ZnO薄膜层(2)、CdxZn1-xO基层(3)、p-ZnO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。
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