[发明专利]ZnO基发光二极管无效
| 申请号: | 02136641.1 | 申请日: | 2002-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN1399357A | 公开(公告)日: | 2003-02-26 |
| 发明(设计)人: | 叶志镇;黄靖云;马德伟;赵炳辉 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
| 地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | zno 发光二极管 | ||
1.ZnO基发光二极管,其特征是在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、n-ZnO薄膜层(2)、CdxZn1-xO基层(3)、p-ZnO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。
2.按权利要求1所述的ZnO基发光二极管,其特征是所说的CdxZn1-xO中的X值为0~1。
3.按权利要求1或2所述的ZnO基发光二极管,其特征是它发射紫外光、紫光、绿光或蓝光。
4.按权利要求1或2所述的ZnO基发光二极管,其特征是所说的衬底是玻璃、蓝宝石、硅、氮化镓和氧化锌。
5.按权利要求1或2所述的ZnO基发光二极管,其特征是所说的第一电极层为掺铝的氧化锌导电薄膜或金属薄膜。
6.按权利要求1或2所述的ZnO基发光二极管,其特征是所说的第二电极层是铝或金。
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