[发明专利]覆晶接合结构与形成方法有效

专利信息
申请号: 02128597.7 申请日: 2002-08-13
公开(公告)号: CN1396641A 公开(公告)日: 2003-02-12
发明(设计)人: 何昆耀;宫振越 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/50
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈肖梅,文琦
地址: 台湾省台北县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及一种覆晶接合结构与形成方法,此方法利用在晶圆的焊接凸块下金属层上形成体积迷你凸块(MiniBump),可将焊接凸块内接近焊接凸块下金属层接口的空孔(Void)数量减至最少且体积减至最小,以增加焊接接合的可靠度,此外,在晶圆上以刮刀印刷填入的焊料体积较小,因此所产生的空孔较容易逸出,同时利用激光开孔的方式或是电浆蚀刻的制程来精确定位基板上的焊接凸块与晶圆上的焊接凸块的形成位置,使焊接凸块能准确形成于基板上的凸块焊垫与晶圆上的焊接凸块下金属层上,同時可缩小焊接凸块的间距,形成细间距高密集度的焊接凸块。
搜索关键词: 接合 结构 形成 方法
【主权项】:
1.一种覆晶(Flip-Chip)接合结构形成方法,其特征在于,包含:提供一基板与一晶圆,其中该基板上具有多个第一焊垫与一离形膜,而该晶圆上具有多个第二焊垫、一具有多个第一开口以暴露出该第二焊垫的保护层、及多个位于该第二焊垫上的焊接凸块下导体层(UBM);以一垂直方向开孔加工的方法转移多个第一焊接凸块的图案进入该离形膜以形成多个第二开口并暴露出该第一焊垫;将焊料填入该第二开口;对该基板执行回焊制程以形成多个第一焊接凸块;移除该离形膜;对该第一焊接凸块执行一压平制程;形成一非感旋光性介电层覆盖该晶圆,其中该非感旋光性介电层的厚度小于该离型膜的厚度;借助一垂直方向开孔加工的方法转移多个第二焊接凸块的图案进入该介电层以形成多个第三开口并暴露出该焊接凸块下导体层;将焊料填入该第三开口;对该晶圆执行一次回焊制程以形成多个第二焊接凸块;切割该基板;切割该晶圆以形成多个芯片;以该芯片上多个第二焊接凸块对准该单位基板上多个第一焊接凸块以焊接结合该单位基板与该芯片;及构装固定该单位基板与该芯片。
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