[发明专利]覆晶接合结构与形成方法有效
申请号: | 02128597.7 | 申请日: | 2002-08-13 |
公开(公告)号: | CN1396641A | 公开(公告)日: | 2003-02-12 |
发明(设计)人: | 何昆耀;宫振越 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅,文琦 |
地址: | 台湾省台北县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种覆晶接合结构与形成方法,此方法利用在晶圆的焊接凸块下金属层上形成体积迷你凸块(MiniBump),可将焊接凸块内接近焊接凸块下金属层接口的空孔(Void)数量减至最少且体积减至最小,以增加焊接接合的可靠度,此外,在晶圆上以刮刀印刷填入的焊料体积较小,因此所产生的空孔较容易逸出,同时利用激光开孔的方式或是电浆蚀刻的制程来精确定位基板上的焊接凸块与晶圆上的焊接凸块的形成位置,使焊接凸块能准确形成于基板上的凸块焊垫与晶圆上的焊接凸块下金属层上,同時可缩小焊接凸块的间距,形成细间距高密集度的焊接凸块。 | ||
搜索关键词: | 接合 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种覆晶(Flip-Chip)接合结构形成方法,其特征在于,包含:提供一基板与一晶圆,其中该基板上具有多个第一焊垫与一离形膜,而该晶圆上具有多个第二焊垫、一具有多个第一开口以暴露出该第二焊垫的保护层、及多个位于该第二焊垫上的焊接凸块下导体层(UBM);以一垂直方向开孔加工的方法转移多个第一焊接凸块的图案进入该离形膜以形成多个第二开口并暴露出该第一焊垫;将焊料填入该第二开口;对该基板执行回焊制程以形成多个第一焊接凸块;移除该离形膜;对该第一焊接凸块执行一压平制程;形成一非感旋光性介电层覆盖该晶圆,其中该非感旋光性介电层的厚度小于该离型膜的厚度;借助一垂直方向开孔加工的方法转移多个第二焊接凸块的图案进入该介电层以形成多个第三开口并暴露出该焊接凸块下导体层;将焊料填入该第三开口;对该晶圆执行一次回焊制程以形成多个第二焊接凸块;切割该基板;切割该晶圆以形成多个芯片;以该芯片上多个第二焊接凸块对准该单位基板上多个第一焊接凸块以焊接结合该单位基板与该芯片;及构装固定该单位基板与该芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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