[发明专利]覆晶接合结构与形成方法有效
| 申请号： | 02128597.7 | 申请日： | 2002-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1396641A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 何昆耀;宫振越 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅,文琦 |
| 地址： | 台湾省台北县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 结构 形成 方法 | ||
1.一种覆晶(Flip-Chip)接合结构形成方法，其特征在于，包含：
提供一基板与一晶圆，其中该基板上具有多个第一焊垫与一离形膜，而该晶圆上具有多个第二焊垫、一具有多个第一开口以暴露出该第二焊垫的保护层、及多个位于该第二焊垫上的焊接凸块下导体层(UBM)；
以一垂直方向开孔加工的方法转移多个第一焊接凸块的图案进入该离形膜以形成多个第二开口并暴露出该第一焊垫；
将焊料填入该第二开口；
对该基板执行回焊制程以形成多个第一焊接凸块；
移除该离形膜；
对该第一焊接凸块执行一压平制程；
形成一非感旋光性介电层覆盖该晶圆，其中该非感旋光性介电层的厚度小于该离型膜的厚度；
借助一垂直方向开孔加工的方法转移多个第二焊接凸块的图案进入该介电层以形成多个第三开口并暴露出该焊接凸块下导体层；
将焊料填入该第三开口；
对该晶圆执行一次回焊制程以形成多个第二焊接凸块；
切割该基板；
切割该晶圆以形成多个芯片；
以该芯片上多个第二焊接凸块对准该单位基板上多个第一焊接凸块以焊接结合该单位基板与该芯片；及
构装固定该单位基板与该芯片。
2.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，上述的该垂直方向开孔加工的方法包含激光开孔法。
3.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，上述的该垂直方向开孔加工的方法包含电浆蚀刻法。
4.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，上述的该焊料以刮刀印刷(Squeegee Printing)的方式填入。
5.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，上述的该焊料包含焊膏。
6.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，上述的该焊料包含微小焊球。
7.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，当上述的该离形膜移除后，对该基板执行一干式蚀刻制程清洗该基板表面。
8.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，当上述的该离形膜移除后，更包括对该基板执行一次回焊制程
9.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，上述的该单位基板与该芯片以灌胶混合物(Molding Compound)构装固定。
10.如权利要求1所述的覆晶接合结构形成方法，其特征在于，上述的该单位基板与该芯片以覆晶填充物(Underfill)构装固定。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
