[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及结构有效
| 申请号： | 02126249.7 | 申请日： | 2002-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1397995A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 石安 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;G02F1/133 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法及结构，包括提供一半导体层；形成一罩幕结构于该半导体层上；于该半导体层上进行一第一离子植入制作过程，以定义出一信道、一初始源/漏极结构；移除该罩幕结构，并形成一栅极绝缘层于该半导体层上；形成一栅极导体结构于该栅极绝缘层上，且置于该信道的上方，并仅露出与该初始漏极结构接触的一部分信道；利用该栅极导体结构作为罩幕，进行一第二离子植入制作过程，用以将该部分信道形成为一轻掺杂漏极结构，并同时使该初始源/漏极结构形成为一重掺杂源/漏极结构。本发明可使得信道变得不那么接近，使信道较不容易碰到源极附近的空乏区，并降低信道与源/漏极接口间空乏区的宽度，以防止组件漏电流上升。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：提供一半导体层；形成一罩幕结构于该半导体层上；于该半导体层上进行一第一离子植入制作过程，以定义出一信道、一初始源/漏极结构；移除该罩幕结构，并形成一栅极绝缘层于该半导体层上；形成一栅极导体结构于该栅极绝缘层上，且置于该信道的上方，并仅露出与该初始漏极结构接触的一部分信道；以及利用该栅极导体结构作为罩幕，进行一第二离子植入制作过程，用以将该部分信道形成为一轻掺杂漏极结构，并同时使该初始源/漏极结构形成为一重掺杂源/漏极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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