[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一半导体层；

形成一罩幕结构于该半导体层上；

于该半导体层上进行一第一离子植入制作过程，以定义出一信道、一初始源/漏极结构；

移除该罩幕结构，并形成一栅极绝缘层于该半导体层上；

形成一栅极导体结构于该栅极绝缘层上，且置于该信道的上方，并仅露出与该初始漏极结构接触的一部分信道；以及

利用该栅极导体结构作为罩幕，进行一第二离子植入制作过程，用以将该部分信道形成为一轻掺杂漏极结构，并同时使该初始源/漏极结构形成为一重掺杂源/漏极结构。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括下列步骤：

提供一透光基板；以及

形成一缓冲层于该透光基板上，并使该半导体层形成于该缓冲层上，其中透光基板为一玻璃基板，而该缓冲层是选自氮化硅、氧化硅或是其组合所完成。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该半导体层为一多晶硅层，该栅极导体结构是以选自铬、钼化钨、钽、铝或铜之一来完成，而该栅极绝缘层由氧化硅来完成，至于该第一离子植入制作过程与该第二离子植入制作过程中所用的离子是选自一磷(P)离子、一砷(As)离子、一氢化磷(PHX)离子与一氢化砷离子等中之一或是其组合。

4.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一半导体层；

于该半导体层上形成一栅极绝缘层；

于该栅极绝缘层上形成一栅极导体结构；

于该栅极导体结构侧形成一侧壁结构；

进行一第一离子植入制作过程，以于该半导体层上定义出一信道以及一初始源/漏极结构；以及

仅移除该信道与该初始漏极结构间的该侧壁结构，并进行一第二离子植入制作过程，用以使该信道与该初始漏极结构间形成为一轻掺杂漏极结构，并同时使该初始源/漏极结构形成一重掺杂源/漏极结构。

5.一种薄膜晶体管的结构，包括：

一半导体层，包括一信道以及一重掺杂源/漏极结构；

一栅极绝缘层，形成于该半导体层上；以及

一栅极导体结构，形成于该栅极绝缘层上；

其特征在于，该半导体层还包括仅一轻掺杂漏极结构，介于该信道与该重掺杂漏极结构之间。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一半导体层；

形成一罩幕结构于该半导体层上；

以一第一电性的掺杂进行一第一离子植入制作过程于该半导体层上，以定义出一信道、一第一电性的初始源/漏极结构；

移除该罩幕结构，并形成一栅极绝缘层于该半导体层上；

形成一栅极导体结构于该栅极绝缘层上；

利用该栅极导体结构作为罩幕，再以该第一电性的掺杂进行一第二离子植入制作过程，以于该第一电性的初始源/漏极结构与该信道之间，定义出一第一电性的轻掺杂源/漏极结构，并同时使该第一电性的初始源/漏极结构形成为一第一电性的重掺杂源/漏极结构；以及

再利用该栅极导体结构作为罩幕，以一第二电性的掺杂进行一第三离子植入制作过程，以于该第一电性的轻掺杂源/漏极结构与该信道接近的处，定义出一第二电性的轻掺杂源/漏极结构。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括下列步骤：

提供一透光基板；以及

形成一缓冲层于该透光基板上，并使该半导体层形成于该缓冲层上，其中该透光基板为一玻璃基板，该缓冲层是选自氮化硅、氧化硅或是其组合所完成。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该半导体层为一多晶硅层，该栅极导体结构以选自铬、钼化钨、钽、铝或铜等材质之一来完成，该栅极绝缘层由氧化硅来完成，而该第一电性的掺杂是指一N型掺杂，该第二电性的掺杂是指一P型掺杂。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第三离子植入制作过程是以一第一入射角来将该至少一离子掺杂于该半导体层内部，且该制造方法中还包括一第四离子植入制作过程，进行于该半导体层上，并以一第二入射角来将该至少一离子掺杂于该半导体层内。