[发明专利]一种制作矽氧层的方法有效
| 申请号： | 02124711.0 | 申请日： | 2002-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1396637A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄正杰;刘泽炜;余堂 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种于一半导体晶片上制作一矽氧层的方法，以增加该矽氧层之沉积速率与均匀度，并减少氯化氢(hydrochloricacid，HCl)之生成，以避免进行高温氧化(hightemperatureoxidation，HTO)制程之机台受到酸气侵蚀。本发明制作方法是使用反应摩尔(mole)数比约为1∶2，流速比大于2∶1之二氯矽烷(dichlorosilane，DCS，SiH2Cl2)以及氧化亚氮(nitrousoxide，N2O)作为反应气体，进行一HTO制程，以于该半导体晶片表面形成该由二氧化矽(silicondioxide)构成之矽氧层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 矽氧层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于一半导体晶片上制作一矽氧层的方法，该方法包含有下列步骤：使用二氯矽烷(dichlorosilane，SiH2Cl2)以及氧化亚氮(nitrousoxide，N2O)作为反应气体，进行一高温氧化(hightemperatureoxidation，HTO)制程，以于该半导体晶片表面形成该矽氧层；其中该二氯矽烷以及该氧化亚氮之气体流速比大于2∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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