[发明专利]一种制作矽氧层的方法有效
| 申请号： | 02124711.0 | 申请日： | 2002-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1396637A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄正杰;刘泽炜;余堂 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 矽氧层 方法 | ||
1.一种于一半导体晶片上制作一矽氧层的方法，该方法包含有下列步骤：
使用二氯矽烷(dichlorosilane，SiH2Cl2)以及氧化亚氮(nitrousoxide，N2O)作为反应气体，进行一高温氧化(high temperature oxidation，HTO)制程，以于该半导体晶片表面形成该矽氧层；
其中该二氯矽烷以及该氧化亚氮之气体流速比大于2∶1。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述二氯矽烷以及氧化亚氮之反应摩尔(mole)数比约为1∶2。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述矽氧层系由二氧化矽(silicon dioxide)构成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法系用来减少氯化氢(hydrochloric acid，HCl)之生成，以避免进行该HTO制程之机台受到酸气侵蚀。
5.一种增加一半导体晶片上之一矽氧层沉积速率与均匀度的方法，该方法包含有下列步骤：
使用二氯矽烷(SiH2Cl2)以及氧化亚氮(N2O)作为反应气体，以于该半导体晶片表面形成该矽氧层；
其中该二氯矽烷以及该氧化亚氮之反应摩尔(mole)数比约为1∶2，而其气体流速比大于2∶1。
6.如专利要求5所述的方法，其特征在于：所述矽氧层系利用一高温氧化(HTO)制程形成。
7.如专利要求5所述的方法，其特征在于：所述方法系用来减少氯化氢(HCl)之生成，以避免进行该HTO制程之机台受到酸气侵蚀。
8.如专利要求5所述的方法，其特征在于：所述矽氧层系由二氧化矽构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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