[发明专利]制作不同电阻值的轻掺杂漏极的方法

摘要

本发明为一种制作不同电阻值的轻掺杂漏极的方法，应用在SRAM上以增加单胞比；首先提供一包含有一第一主动区域以及一第二主动区域的半导体晶片，接着于该二主动区域上分别形成一第一栅极以及一第二栅极；随后进行一第一离子布植，对该第二主动区域的基底表面植入第一导电形式的掺质，然后进行一第二离子布植，对该第一以及第二主动区域的该基底表面同时植入第二导电形式的掺质；最后活化各该导电形式的掺质，以分别于该第一栅极以及该第二栅极周围形成一第一轻掺杂漏极以及一第二轻掺杂漏极，且该第一轻掺杂漏极以及该第二轻掺杂漏极分别具有不同的电阻值，进而增加单胞比；另，该两次离子布植可与其他PMOS晶体管共同进行，故本发明可确实避免习知技术需要额外制程费用或降低SRAM积极度的缺失。

主权项

1.一种制作不同电阻值的轻掺杂漏极的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：提供一半导体晶片，且该半导体晶片的基底上包含有一第一主动区域以及一第二主动区域设于该基底上；于该第一主动区域以及该第二主动区域上分别形成一第一栅极以及一第二栅极；进行一第一离子布植制程，以对该第二主动区域的该基底表面植入第一导电形式的掺质；以及进行一第二离子布植制程，以对该第一主动区域的该基底表面植入第二导电形式的掺质，并对该第二主动区域的该基底表面植入第二导电形式的掺质；活化各该导电形式的掺质，以分别于该第一栅极以及该第二栅极周围形成一第一轻掺杂漏极以及一第二轻掺杂漏极，且该第一轻掺杂漏极以及该第二轻掺杂漏极分别具有不同的电阻值。